<<
>>

Нанотранзистор, созданный с использованием традиционных технологий

Исследователи из Северо-Западного университета США продемонстрировали ключ на основе нанотрубки с двумя устойчивыми состояниями, изготовленный с помощью традиционных технологий массового производства электронных компонентов.

Создание ключей и других электронных устройств на основе нанотрубок — не новосзь. С 1998 г. технология транзисторов на основе нанотрубок постоянно совершенствовалась, однако до их массового производства так и не доходило.

Однако теперь есть все шансы, что в обозримом будущем на рынках появятся элементы памяти на нанотрубках, процессоры и другие микро- и наноэлектронные устройства.

«Использовать нанотрубочную электронику довольно выгодно, зак как для дальнейшего уменьшения размеров чипов необходимо изобретать альтернативные подходы, потому что мы уже довольно плотно приблизились к размерному пределу, где закон Мура уже не сможет действовать. А чипы на основе квантовых элементов механических транзисторов или нанотрубок позволят оставить закон Мура в силе. Только вот пока никому не удавалось поставить производство нанотрубочной электроники на поток», — сказал Горацио Эспиноза, ученый из Северо-Западного университета.

Ключ, созданный исследователями, довольно прост. Это многослойная нанотрубка, один конец которой закреплен, а другой через пространство менее 10 нм электростатически взаимодействует с электродом. Устройство использует туннельный принцип.

Простая конструкция ключа позволит ученым соединять ряд ключей в двумерные матрицы, которые будут использоваться для различных электронных устройств.

Следующим шагом Горацио и его коллег будет создание из матрицы ключей работоспособной логической ячейки модуля памяти. И, естественно, ученым предстоит разработать простую технологию ее массового производства.

О гибридных компонентах на основе технологий CMOS и FPNI

Компания HP сегодня объявила об исследовании, которое может внести революционное нововведение в микроэлектронику.

Суть исследования HP заключается в создании массивов программируемых полевых транзисторов (field programmable gate arrays — FPGAs), плотность упаковки которых в 8 раз превышает современные CMOS- аналоги. При этом суммарная рассеиваемая мощность устройств будет значительно ниже, поэтому у производителей микроэлектронных компонентов есть возможность делать процессоры и чипы памяти еще меньше.

Фундамент для развития этой технологии HP заложила несколько лет назад, когда были созданы кросс-матрицы из нанопроводников, в которых каждое пересечение напонитей формировало нанотранзистор.

Гол назад, когда компания HP опубликовала результаты исследования Дмитрия Струкова (Dmitri Strukov) и Константина Лихарева (Konstantin Likharev) из Университета Стони Брук, Нью-Йорк (Stony Brook University in New York), научное сообщество было удивлено возможностями и перспективами наноэлектроники. Тогда же HP продемонстрировала план развития наноэлекгроники к 2010 г., который постепенно подтверждается достижениями компании.

Матрица квантовых ключей изменилась на «программируемое соединение нанопроводников» («field programmable nanowire interconnect — FPNI), на основе которого Грэг Снайдер (Greg Snider) и Стэн Уильяме (Stan Williams) разработали архитектуру построй шя чипов и логики.

Ученые представили также работоспособный чип, использующий 15-нанометровые нанотранзисторы, сформированные матрицей перекрещивающихся нитей, соединенных с 45-нанометровой CMOS-электроникой. Как говорят ученые, чипы на этой основе могут поступить в массовое производство уже в 2010 г.

Благодаря гибридизации CMOS и FPN1 полученные чипы в 4 раза меньше, чем их простые CMOS-аналоги. Стэн считает, что будущее — за распараллеливанием чипов благодаря уменьшению гибридных компонентов.

Грэг и Стэн также представили прототип чипа, работающего на 4,5-нанометровых FPNI-соединениях, однако их массовое применение в микроэлектронике может наступить только в 2020 г. Крайне важно также то, что чипы по FPGA-технологии и модифицированной FPNI можно будет производить на обычных производственных линиях CMOS-микроэлектроники, незначительно их модернизировав.

<< | >>
Источник: П.П. Мальцев. Нанотехнологии. Наноматериалы.. 2008

Еще по теме Нанотранзистор, созданный с использованием традиционных технологий:

  1. Нанотранзистор, созданный с использованием традиционных технологий